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招標(biāo)代理公司（立即查看） 受業(yè)主單位（立即查看） 委托，于2025-01-07在采購與招標(biāo)網(wǎng)發(fā)布 西安工業(yè)大學(xué)2025年03月政府采購意向。現(xiàn)邀請全國供應(yīng)商參與投標(biāo)，有意向的單位請及時聯(lián)系項(xiàng)目聯(lián)系人參與投標(biāo)。 （略）采購信（略）采購意向公開工作的通知》（財(cái)庫〔（略）〕（略）號）等有關(guān)規(guī)定，現(xiàn)將本單位（略）年（略）月至（略）年（略）月采購意向公開如下：序號采購項(xiàng)目名稱采購需求概況預(yù)算金額（略）預(yù)計(jì)采購時間備注1西安工業(yè)大學(xué)（略）子束外延（MBE）設(shè)備采購項(xiàng)目采購內(nèi)容:（略）子束外延（MBE）設(shè)備；主要功能或（略）1套1（略）包含進(jìn)樣室、預(yù)處理室、外延室；1.1、進(jìn)樣室，真空腔室采用優(yōu)質(zhì)冷軋（略）L不銹鋼制造；1.2、預(yù)處理室，真空腔室采用優(yōu)質(zhì)冷軋（略）L不銹鋼制造；1.3、外延室，真空腔室采用優(yōu)質(zhì)冷軋（略）L不銹鋼制造，冷阱采用優(yōu)質(zhì)（略）L不銹鋼制；2（略）真空：2.1進(jìn)樣室配有（略）子泵、干泵獲得真空，極限真空：≤5×（略）-8Torr；2.2、預(yù)處理室配有離子泵，極限真空：≤5×（略）-（略）Torr；2.3、外延室配有低溫泵、離子泵、升華泵，極限真空≤5×（略）-（略）Torr；3（略）：3.1、進(jìn)樣室配有襯底庫；3.2、預(yù)處理室配有除氣臺；4（略）用于在真空腔室中完成襯底輸送。主要由手動升降機(jī)構(gòu)、自動線性傳遞機(jī)構(gòu)等組成。6、外延室配有伸縮式可移動式束流計(jì)；檢測極限≤1×（略）-（略）Torr；7、外延室配有原位高能電子衍射儀：電子槍能量范圍：1-（略）KeV；8、外延室配有四極質(zhì)譜儀：量程：1-（略）amu，檢測極限≤1.0×（略）-（略）Torr；可遠(yuǎn)程控制，附帶RGA控制與（略）析（略）；9（略）；（略）、UPS電源：可以滿足1個Al爐、2臺離子泵、1臺工控機(jī)，≥1個小時的供電；（略）配備專業(yè)控制（略），烘烤溫度不低于（略）℃，烘烤程序可控，實(shí)際控溫精度為±（略）℃；（略）主要應(yīng)用于工藝編程、真空獲得、（略）。主要由人機(jī)交互界面、底層PLC核心驅(qū)動部件、數(shù)據(jù)處理和保存部件。操作模式（略）為手動模式、自動模式（略）控制MBE生長室工藝，實(shí)現(xiàn)工藝自動化控制；（略）、設(shè)備和（略）具有安全互聯(lián)互鎖功能。；需滿足的要求:項(xiàng)目建設(shè)后，設(shè)備支持：生長Ⅲ-AsP化合物半導(dǎo)體及其多（略）固溶體單晶薄膜或結(jié)構(gòu)，包括GaAs襯底上生長的GaAs，AlGaAs，AlGaInAs和AlGaInP，InP襯底上生長的InP，InGaAs，AlGaInAs，和InGaAsP；生長異質(zhì)結(jié)、超晶格和量子阱等結(jié)構(gòu)；生長發(fā)光二極管（LED）、邊發(fā)射和垂直腔（VCSEL）面發(fā)射激光器、太陽電池、光電探測器等光電器件；生長高電子遷移率晶體管（HEMT）、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管等功率器件。。（略）.（略）年（略）月無2射頻電源采購內(nèi)容:射頻電源；主要功能或目標(biāo):5KW，（略）.（略）MHz電源1.輸出功率：（略）W，可選功率范圍:1W~正常輸出功率；2.電壓駐波比（VSWR）接近理想匹配狀態(tài)，設(shè)備可輸出其全部標(biāo)稱功率；電壓駐波比在失配狀態(tài)時（VSWR3.0:1:），設(shè)備可輸出其全部標(biāo)稱功率的（略）%；電壓駐波比在極端不匹配時（VSWR接近無限時）輸出功率（正向功率）大于標(biāo)稱功率的（略）%；3.最大反射功率:（略）W，標(biāo)稱負(fù)載阻抗:（略）Ω.4.輸出頻率及誤差:（略）.（略）MHz±5%.5.通信接口：有同步接口；有模擬數(shù)字，可選配RS-（略）RS-（略）Ether（略）TDeviceNet6.外殼IP防護(hù)等級：（略）.水冷冷卻要求：最大水壓：8bar；最小壓差：2bar；冷卻溫度：5°C~（略）°C8.環(huán)境條件:室外溫度：5°C–（略）°C;濕度：5%–（略）%大氣壓力：（略）.5kPa–（略）kPa;9.配置專用匹配器2KW，（略）.（略）MHz電源1.功率輸出范圍：1W–（略）W，最大反射功率：（略）W當(dāng)電壓駐波比（VSWR1：1~3：1），設(shè)備可輸出其全部標(biāo)稱功率；當(dāng)電壓駐波比（VSWR）極端不匹配時（VSWR接近無限時），輸出功率（正向功率）大于標(biāo)稱功率的（略）%；2.輸出頻率：（略）.（略）MHz±0.（略）%；3.輸出阻抗：（略）Ω；諧波：-（略）dBc；雜波：-（略）dBc；功率精度：±1Wor±1%；浪涌：±1W；輸出功率重復(fù)性：±2Wor±1%4.可選擇運(yùn)行常規(guī)模式和脈沖模式，常規(guī)模式：正向功率、負(fù)載功率、外部電壓；脈沖模式：1Hz–（略）kHz，內(nèi)部和外部信號源頻率捷變：±（略）kHz（±5%）具有抑弧功能：5.接口：模擬；DeviceNet；RS（略）端口模擬；ther（略）T；RS（略）端口模擬；（略）總線；RS（略）端口同步（CE（略）；脈沖；抑?。菏?.水冷方式：環(huán)境溫度：5°C–（略）°C；7.外殼防護(hù)等級：（略）.可選配最高到（略）kHz的脈沖輸出頻率；具備智能自動調(diào)頻（AutoFrequencyTuning）、抑弧功能（ArcManagement）9.配置專用匹配器；需滿足的要求:可用于射頻磁控濺射鍍膜裝置、射頻離子源加工以及射頻等離子體刻蝕加工專用設(shè)備中，磁控濺射源、離子源和等離子體源的射頻電源提供。。（略）.（略）年（略）月無3自由曲面測試儀采購內(nèi)容:自由曲面測試儀；主要功能或目標(biāo):1.主要功能：1.1采用多波長干涉方式測量（略）件面型，提供理論和實(shí)測曲線（略）析；1.2可進(jìn)行平面、球面、非球面、自由曲面的三維形貌測量；1.3可進(jìn)行曲率半徑測量；1.4具備三維參數(shù)（略）析功能，該參數(shù)必須包括但不限于：PVPV（略）、Astigmatism、RMS、Slop，顯示誤差圖的三維影像。1.5有自動消傾斜和偏心校正功能；1.6支持被測件方程及參數(shù)的輸入，并提供測量對比結(jié)果報(bào)告；1.7可檢測面型：球面、非球面、衍射面和自由曲面；衍射面溝槽深度大于（略）微米；1.8測量方式：針對圓形、矩形、橢圓形、多邊形、不規(guī)則形狀等輪廓的面形均可進(jìn)行非拼接連續(xù)測量，以保證測量精度及一致性；1.9可針對深寬比較大的小口徑光學(xué)模具測量，滿足口徑≤（略）mm，曲率半徑為（略）mm的凹球面測量；2.技術(shù)規(guī)格、精度指標(biāo)：2.1最大測量尺寸：Φ（略）mm；2.2面型測量精度：≤（略）nmPV值，重復(fù)精度≤（略）nm；2.3曲率半徑測量精度：≤0.（略）um一英寸標(biāo)準(zhǔn)小球；2.4最大測量傾斜（略）：凸面（略）°，凹面（略）°；2.5最大測量矢高：≤（略）mm；2.6被測件最大重量：≤（略）Kg；2.7（略）析：具備3D表面可視化、可調(diào)（略）橫斷面、2D顯示圖、濾波器LPF、HPF、高斯、最佳擬合半徑、非球面擬合、消傾斜和偏離補(bǔ)償、擬合去除、切向和徑向誤差；顯示相關(guān)參數(shù)，包括Power、PV、RMS、Slop和Zernicke等的數(shù)值、測量報(bào)告支持SBF、PDF、JPEG等多種輸出格式的功能；2.8數(shù)據(jù)輸出：數(shù)據(jù)輸入輸出格式可與dat、datx、xyz格式、4D、Zeiss、等面形（略）析處理（略）數(shù)據(jù)格式兼容通用；同時可以輸出主流光學(xué)加工設(shè)備的輸入格式，用于過程面形修正；還可以輸出Zemax、CodeV等光學(xué)設(shè)計(jì)（略）輸入格式，用于設(shè)計(jì)模型修正。；需滿足的要求:可用于對旋轉(zhuǎn)對稱和非旋轉(zhuǎn)對稱表面進(jìn)行精密的非接觸式3D形狀測量，如非球面、球面、平面和自由曲面等。。（略）.（略）年（略）月無4橢偏儀采購內(nèi)容:橢偏儀；主要功能或目標(biāo):光譜范圍：（略）-（略）nm，測量（略）度：（略）-（略）°連續(xù)自動可變，光斑尺寸：3mm≤普通光斑直徑≤5mm，微光斑≤（略）um，連續(xù)可調(diào)測試溫度：（略）-（略）℃。；需滿足的要求:項(xiàng)目建設(shè)后，建成并投入使用（略）在薄膜與等離子體技術(shù)方向的教學(xué)與科研設(shè)備水平，其中橢偏儀主要用于薄膜及光學(xué)（略）件折射率測量。橢偏儀（略）在薄膜與等離子體技術(shù)方向的教學(xué)與科研設(shè)備需求且質(zhì)量達(dá)到現(xiàn)行合格標(biāo)準(zhǔn)，符合國家、行業(yè)、地方規(guī)定的質(zhì)量和安全標(biāo)準(zhǔn)。。（略）.（略）年（略）月無5（略）光光度計(jì)采購內(nèi)容:（略）光光度計(jì)；主要功能或目標(biāo):光譜范圍（略）-（略）nm，采用棱鏡-光柵（P-（略），光譜帶寬：紫外-（略）0.（略）-2.4nm0.（略）nm步進(jìn)），2.4-8.0nm0.（略）nm步進(jìn)）；雜散光（S.L.：≤0.（略）%（（略）nmNaI）；≤0.（略）%（（略）nmNaNO2）。；需滿足的要求:項(xiàng)目建設(shè)后，建成并投入使用（略）在薄膜與等離子體技術(shù)方向的教學(xué)與科研設(shè)備水平，其中（略）光光度計(jì)主要用于光學(xué)薄膜樣品及光學(xué)（略）件透射率檢測。（略）光光度計(jì)（略）在薄膜與等離子體技術(shù)方向的教學(xué)與科研設(shè)備需求且質(zhì)量達(dá)到現(xiàn)行合格標(biāo)準(zhǔn)，符合國家、行業(yè)、地方規(guī)定的質(zhì)量和安全標(biāo)準(zhǔn)。。（略）.（略）年（略）月無6相（略）采購內(nèi)容:相（略）；主要功能或目標(biāo):相（略）；主要功能或目標(biāo):相（略）（含頻譜（略）析儀、微波（略）絡(luò)（略）析儀等）1、全數(shù)字中頻技術(shù)，頻率范圍9kHz~（略）.5GHz，頻率（略）辨率1Hz；2、顯示平均噪聲電平DANL低于-（略）dBmHz；3、相位噪聲低于-（略）dBcHz@1GHz；4、（略）辨率帶寬（RBW）1Hz~（略）MHz，步進(jìn)1-3-（略）；5、微波信號發(fā)生器輸出頻率范圍（略）kHz~（略）GHz；6（略）絡(luò)（略）析頻率范圍（略）kHz~（略）.5GHz，頻率（略）辨率1Hz；7（略）絡(luò)（略）析端不少于4個；8、輸出功率設(shè)置范圍-（略）dBm~+（略）dBm等；；需滿足的要求:性能安全可靠，可開展軍用裝備相關(guān)快速開發(fā)驗(yàn)證及自動化測試。可廣泛應(yīng)（略）、模塊、器件的測試，支持遠(yuǎn)程桌面，適用于通信教學(xué)、微波射頻實(shí)驗(yàn)室等，滿足廣泛的應(yīng)用需求。要求高精度，可全面測試射頻、微波器件的性能。。（略）.（略）年（略）月無7人工智能模型訓(xùn)練服務(wù)器采購內(nèi)容:人工智能模型訓(xùn)練服務(wù)器；主要功能或目標(biāo):人工智能模型訓(xùn)練服務(wù)器組件1、具備雙機(jī)互備份，單機(jī)可獨(dú)立運(yùn)行功能；2、（略）c；3、（略）核（略）線程；4、（略）G內(nèi)存TeslaL（略）G4；6.AI算力：不低于（略）TFLOPS；；需滿足的要求:可模擬各種規(guī)模的嵌入（略）自動化、機(jī)載智能能力生成、效能評估等功能。（略），用于數(shù)字孿生戰(zhàn)場中基于光電和電磁數(shù)據(jù)科學(xué)（略）析支撐的智能態(tài)勢推演和仿真。規(guī)模可調(diào)的強(qiáng)大的（略）、多場景、多行業(yè)的個性化需求。。（略）.（略）年（略）月無8計(jì)量型三坐標(biāo)測量機(jī)采購內(nèi)容:計(jì)量型三坐標(biāo)測量機(jī)；主要功能或目標(biāo):一臺計(jì)量型三坐標(biāo)測量機(jī)及相關(guān)附件；主要功能或目標(biāo):（1）測量精度要求：0.7+L（略）（微米）；（2）測量范圍不低于（略）；（3）配備三維掃描測頭；；需滿足的要求:實(shí)現(xiàn)復(fù)雜（略）部件幾何量精密測量，可實(shí)現(xiàn)復(fù)雜刀具、齒輪、各類樣板的溯源。。（略）.（略）年（略）月無9（略）采購內(nèi)（略）；主要功能或目（略）輸出電壓（略）V；輸出電流（略）A；輸出功率（略）kW；功率因數(shù)＞0.（略）；保護(hù)功能OVP、OCP、OPP、OTP；通訊接口RS（略）。；（略）具備高達(dá)（略）V的輸出電壓和（略）A的輸出電流，能夠滿足包括無人（略）及高射速武器在內(nèi)的多種武器裝備在復(fù)雜工況下的電源測試需求。其（略）kW的輸出功率確保了在高負(fù)載測試場景下的穩(wěn)定性和可靠性。。（略）.（略）年（略）月無（略）采購內(nèi)（略）；主要功能或目（略）數(shù)據(jù)采集功能：采樣率≥（略）kHz；（略）數(shù)≥8（略）同步模擬輸入（略），（略）擴(kuò)展功能；（略）間同步精度優(yōu)于1微秒；采集模塊各（略）具備0-（略）V恒壓激勵和0-（略）mA恒流激勵供電能力；隔離電壓≥（略）V；半實(shí)物仿真功能：主機(jī)采用Intel?（略）eon?E（略）核，3.7GHz（略）GBRAM,（略）GBSSD；主控板采用FPGA（略）ilinx?Kintex?-（略）T（略）為RT-LAB和HYPERSIM；數(shù)字IO（略）OP（略）≥（略）；高量程數(shù)字輸入（略）≥2；數(shù)字輸出電壓：5-（略）V；數(shù)字輸入電壓：0-（略）V；模擬（略）OP（略）-3≥（略），1MSs，（略）-bit精度，（略）ns,±（略）V；模擬（略）OP（略）≥